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产品简介:
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MT41K256M16HA-125 M:E 是美光科技(Micron Technology Inc.)生产的一款DDR3 SDRAM存储器,属于高容量、高性能的动态随机存取存储芯片。该型号主要应用于对数据处理速度和系统稳定性要求较高的电子设备中。 典型应用场景包括:网络设备(如路由器、交换机)、服务器和工作站内存模块,用于提升多任务处理能力和数据吞吐效率;工业自动化控制系统,支持长时间稳定运行;高端嵌入式系统,如医疗成像设备、通信基站和视频监控平台,满足其大带宽与高可靠性的需求;此外,也常见于需要快速响应的消费类电子产品,如高性能游戏主机和图形处理设备。 该芯片采用8Gb(256M×16)容量配置,支持低功耗运行(可选版本),工作温度范围较宽,适合严苛环境下的使用。其1.5V标准电压设计兼容主流DDR3平台,便于集成与升级。整体上,MT41K256M16HA-125 M:E 适用于追求高效能与高可靠性的中高端电子系统,是现代数字基础设施中的关键存储组件之一。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC DDR3 SDRAM 4GBIT 800MHZ FBGA |
| 产品分类 | 存储器 |
| 品牌 | Micron Technology Inc |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MT41K256M16HA-125 M:E |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 96-FBGA(9x14) |
| 包装 | 托盘 |
| 存储器类型 | DDR3L SDRAM |
| 存储容量 | 4G(256M x16) |
| 封装/外壳 | 96-TFBGA |
| 工作温度 | 0°C ~ 95°C |
| 接口 | 并联 |
| 标准包装 | 1,000 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 电压-电源 | 1.283 V ~ 1.45 V |
| 速度 | 800MHz |